型號：SEN-XY類型：X/Y軸磁傳感器測量范圍：+/-1100uT分辯率：0.015uT線性度：0.60%供電電源：3/5V工作電流：0.5mA工作溫度：-40~+85℃通信接口：N/A尺寸：6×2.1×2.21mm

PNI自成立之初，就專注于為***磁導航和定位研究領域提供***產品和技術支持服務，多年來推出了一系列性能***產品，包括各類電子羅盤和磁元件。PNI不僅在磁導航方面擁有算法開發經驗，而且其MI（磁感）傳感器至今仍是世界上精度的磁感元件。下面我們一起來揭開，這樣一款***的磁傳感器背后工作的“秘密”。

圖1：PNI磁傳感器元件及ASCI驅動芯片

圖2是PNI磁感式（MI）傳感器的實際簡要應用電路。這是一個典型的LR振蕩電路，其中，電感元件由傳感器中的高磁導率磁芯和纏繞在其四周的螺旋管組成，電阻則需要用戶提供。除此之外，電路中還有一個用于狀態切換的施密特觸發器。

圖2：PNI磁傳感器典型應用電路圖

當圖中電路接通電源后，由物理規律可知，傳感器處的磁場強度H由兩部分組成：一部分是外界磁場強度HE；另一部分則是電流所產生的，大小與電流成正比，可表示為k0I（k0為常數）。所以，可以得到如下關系式：

H=HE+k0I

在圖2的工作電路中，假設施密特觸發器的閾值電壓為VH，并且當輸入電壓（A點電壓）為0或某個小于閾值電壓的值VL時，觸發器的邏輯狀態降為“1”，同時輸出大小為VS的電壓信號。在此條件下，電路中傳感器兩端的電壓會逐漸增加，直到A點的電壓上升到VH時，觸發器的邏輯狀態會轉換為“0”，從而使得傳感器上的電壓又開始慢慢減小。如圖3，上半部分所示為是施密特觸發器邏輯狀態波形圖，下半部分為A點處的實際電壓變化波形圖。

圖3：振蕩電路輸出波形與觸發器邏輯狀態變化圖

圖4是磁性物質的磁導率μ與磁場強度H的關系。正如圖2所示，電路中的偏置電阻Rb和以及觸發器的參數特性均經過挑選，從而使得傳感器在受到正向或負向電壓驅動時，所產生的磁場強度能處于圖5所示的虛線區域中。注意當沒有外界磁場時，無論是正向或負向驅動，都能得到相同波形圖。