根據研究人員解釋,該元件采用石墨烯薄層作為頂層的透明電極,同時作為光產生載子的有效收集層。石墨烯與硅之間的氧化鋅(ZnO)薄層則作為抗反射層,用于獲取入射光以及提高光的吸收。
由國立
臺灣大學、海洋大學與中正大學攜手組成的一支跨校研究團隊,采用石墨烯、氧化鋅與硅的三接面設計,成功打造出一款具有超高靈敏度、快速響應且涵蓋寬光譜探測范圍的自供電光探測器。
在發表于最新一期《應用物理快報》(Applied Physics Letters)的「基于石墨烯/氧化鋅/硅三接面的自供電與寬頻光探測器」(Self-powered and broadband photodetectors based on graphene/ZnO/silicon triple junctions)一文中,介紹這款元件擁有1000nm-400nm的寬頻譜探測范圍,涵蓋了可見光譜到紅外線。
根據研究人員解釋,該元件采用石墨烯薄層作為頂層的透明電極,同時作為光產生載子的有效收集層。石墨烯與硅之間的氧化鋅(ZnO)薄層則作為抗反射層,用于獲取入射光以及提高光的吸收。
在石墨烯/氧化鋅、氧化鋅/硅這兩種介面的內建電場,增強了光產生電子與電洞對之間的電荷隔離,使得該元件的靈敏度與響應時間能夠較石墨烯/硅異質接面元件更大幅改善。
借由選擇合適的頻段校準以及不同材料的獨特性,研究人員們得以設計出具有高靈敏度與快速響應時間的元件——從接近紫外線(UV)到紅外線的波長范圍。實現原型的開機響應時間大約為280μs,但臺灣團隊預計這一數字還可能降到100μs以下。
由于這款自供電的光探測器具有相容于硅制造工藝的簡單架構,研究人員們希望它還能夠在超低功耗應用中發現許多新的應用案例,包括下一代的光電元件。